單晶(jing)爐是(shi)利用(yong)石墨加(jia)熱器(qi)在惰性(xing)氣體(ti)(主(zhu)要是(shi)氮(dan)氣和氦氣)環(huan)境(jing)中熔化多晶(jing)硅等多晶(jing)硅材料，采用(yong)齊拉斯基法生(sheng)長無(wu)位(wei)錯單晶(jing)的(de)一種設備。它的(de)內(nei)部結(jie)構*其復(fu)雜。但(dan)是(shi)單晶(jing)硅棒的(de)生(sheng)產對(dui)環(huan)境(jing)要求非常高(gao)。如(ru)果(guo)爐體(ti)溫度(du)過高(gao)，爐體(ti)會(hui)變形，影響設備尺(chi)寸和單晶(jing)硅棒的(de)生(sheng)長。如(ru)果(guo)爐體(ti)長期處于高(gao)溫環(huan)境(jing)的(de)工作狀態，爐體(ti)上會(hui)出現裂紋，對(dui)爐體(ti)造成(cheng)損(sun)壞(huai)，降低爐體(ti)的(de)使用(yong)壽命。
為了降(jiang)低(di)單(dan)晶(jing)爐(lu)工作過(guo)(guo)程中的溫(wen)度(du)，一般在單(dan)晶(jing)爐(lu)內(nei)設(she)置冷(leng)(leng)(leng)卻(que)結構，通過(guo)(guo)冷(leng)(leng)(leng)卻(que)水(shui)(shui)循環系(xi)統(tong)(tong)將單(dan)晶(jing)爐(lu)內(nei)的熱量帶走，從而降(jiang)低(di)單(dan)晶(jing)爐(lu)內(nei)的溫(wen)度(du)。但是(shi)，水(shui)(shui)冷(leng)(leng)(leng)卻(que)系(xi)統(tong)(tong)需要配備冷(leng)(leng)(leng)水(shui)(shui)機組、冷(leng)(leng)(leng)卻(que)池、冷(leng)(leng)(leng)卻(que)水(shui)(shui)泵、熱交換器等設(she)備。整個系(xi)統(tong)(tong)結構復(fu)雜(za)，占用(yong)空間大(da)，對水(shui)(shui)質和流(liu)量有特殊(shu)要求。安裝(zhuang)和使用(yong)困(kun)難。
半(ban)導(dao)體工(gong)藝設(she)備為大(da)規(gui)模半(ban)導(dao)體制造(zao)提(ti)供(gong)了制造(zao)基礎。描繪電子產業未來的摩爾定律，將導(dao)致未來半(ban)導(dao)體器件的集成(cheng)化(hua)(hua)和小型(xing)化(hua)(hua)程度更高(gao)，功能更強(qiang)。
單晶爐
單(dan)(dan)晶(jing)(jing)爐是一(yi)種全自動直(zhi)拉單(dan)(dan)晶(jing)(jing)生長爐，是利(li)用石墨加熱器在惰性氣(qi)體(ti)(氮氣(qi)、氦(hai)氣(qi))環境(jing)中熔化(hua)多晶(jing)(jing)硅等多晶(jing)(jing)材料，采(cai)用直(zhi)拉法生長無位錯單(dan)(dan)晶(jing)(jing)的(de)設備(bei)。
單晶硅爐的模(mo)型有兩(liang)種命名方法，一種是(shi)進(jin)料(liao)量(liang)，另一種是(shi)爐膛直徑(jing)。如120、150等型號(hao)由進(jin)料(liao)量(liang)決定，85爐指(zhi)的是(shi)主爐筒直徑(jing)。
單晶硅(gui)爐(lu)的主體由(you)主機(ji)、加熱電(dian)源和計算機(ji)控制(zhi)系統組成。
制冷機主要應用于空調冷卻系統、冷凍系列、注塑、制革、發泡、發電、汽輪機、鋁型材加工、空壓機、工業水冷卻等領域，應用最多的為空調冷卻、冷凍、塑膠化工行業。
工業生產或制冷工藝過程中產生的廢熱，一般要用冷卻水來導走。冷卻塔的作用是將挾帶廢熱的冷卻水在塔內與空氣進行熱交換，使廢熱傳輸給空氣并散入大氣中。
例如：火電廠內，鍋(guo)(guo)爐將水加熱(re)成高(gao)溫(wen)高(gao)壓蒸汽(qi)，推動汽(qi)輪機做(zuo)功(gong)使發電機發電，經(jing)汽(qi)輪機作功(gong)后的(de)廢(fei)汽(qi)排入冷(leng)凝器，與冷(leng)卻(que)水進行熱(re)交換(huan)凝結(jie)成水，再用水泵打回鍋(guo)(guo)爐循環使用。這一過程中乏汽(qi)的(de)廢(fei)熱(re)傳給了冷(leng)卻(que)水，使水溫(wen)度升高(gao)，挾帶廢(fei)熱(re)的(de)冷(leng)卻(que)水。
單晶硅片的工藝流程
硅(gui)(gui)，地球上有很多含硅(gui)(gui)的(de)(de)東西。似(si)乎90%以(yi)上都是(shi)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)，也(ye)就(jiu)是(shi)單晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)。太(tai)陽(yang)能級硅(gui)(gui)的(de)(de)純(chun)度在6N以(yi)上。
首先是(shi)石頭(tou)(所(suo)有(you)的(de)石頭(tou)都含(han)有(you)硅)。將石頭(tou)加(jia)熱(re)至(zhi)(zhi)液(ye)態，再加(jia)熱(re)至(zhi)(zhi)氣態。讓氣體通過一(yi)個(ge)密封的(de)大盒(he)子(zi)(zi)。盒(he)子(zi)(zi)里(li)有(you)N個(ge)以上的(de)子(zi)(zi)晶(jing)(jing)(jing)體用(yong)于(yu)加(jia)熱(re)，兩端用(yong)石墨夾緊(jin)。當氣體穿過盒(he)子(zi)(zi)時，子(zi)(zi)晶(jing)(jing)(jing)體會將其中一(yi)種(zhong)氣體吸收到子(zi)(zi)晶(jing)(jing)(jing)體上，子(zi)(zi)晶(jing)(jing)(jing)體就會逐漸變(bian)厚(hou)。因為氣體變(bian)成固體，很(hen)慢，大約一(yi)個(ge)月左右，盒(he)子(zi)(zi)里(li)有(you)很(hen)多(duo)長初級多(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅。
單晶硅(gui)芯片由此進入生產(chan)過程(cheng):
1. 酸洗:用稀(xi)硝酸HNO3進(jin)行(xing)清洗，去除精煉過程中產生的(de)表面雜(za)質和(he)四氯(lv)化硅。
2. 清洗(xi):清洗(xi)酸洗(xi)后硅材料的殘留(liu)雜質(zhi)。
華祥(xiang)工(gong)業(ye)冷水機廠家提(ti)供單晶硅(gui)(gui)爐(lu)(lu)冷卻,單晶硅(gui)(gui)爐(lu)(lu)制(zhi)冷解決方案(an),單晶硅(gui)(gui)爐(lu)(lu)冷凍(dong)，價(jia)格合理(li)，品質保(bao)證。
